Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé

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ژورنال

عنوان ژورنال: Revue de Physique Appliquée

سال: 1989

ISSN: 0035-1687

DOI: 10.1051/rphysap:0198900240104500